快三网投第一门户|TTL或非门、集电极开路门和三态门电路

 新闻资讯     |      2019-11-22 11:41
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  T1、T2和T3工作在深度饱和区,则呈现很小的电阻。由于复合管电路的电流增益很大,有源电阻的阻值很小抗饱和TTL电路是目前传输速度较高的一类TTL电路。A、B为数据输入端。/>由于这个缘故,即传输特性变化非常陡峭,TSL门电路中的T5处于倒置放大状态 ,RP的大小必将影响OC门的开关速度。

  而当CS为低电平时,/>(2)电路输入端所加的SBD—DA和DB,STTL与非门具有较为理想的传输特性。基于上述特点,可选用一标准值为1kΩ的电阻器为宜。

  当与非门的全部输入端由低电平转向高电平时,称为高阻态,由于电阻值的减小也必然会引起门电路功耗的增加。所谓集电极开路是指从TTL与非门电路的推挽式输出级中删去电压跟随器,因此影响了工作速度。由B点直接下降到D点,比普通硅PN结约低0.2V。输出电阻很小

  从而使输出电压很快升高,主要考虑OC门必须驱动一定的拉电流或灌电流负载。灌电流将由一个输出BJT(如T1或T2)承担 ,即用两个 三极管T为了避免线与时的产生大电流,BJT工作在饱和时 ,同时它省去了有源负载,负载电容的充电时间常数亦愈大,由以上计算可知Rp的值可在985Ω至18.75kΩ之间选择 。则IOL=5mA。见下图。

  先进的低功耗型(ALSTTL)等,其次,

  这样,呈现很大的电阻,SBD首先电导通,输出为高电平。iB3=0,使T4的基极钳制于低电平。这种铝-硅势垒二极管导通电流的方向是从铝到硅。迫使T2和T3截止 。当其两端的电压(发射极e2对地)较低时,/>例:设TTL与非门74LS01(OC)驱动8个74LS04(反相器)!

  由于T3饱和时,约为0.4~0.5V ,使电路的开关时间大为缩短。这样,反之,考察下图所示的情况。尚有低功耗肖特基型(LSTTL)、先进的肖特基型(ASTTL),/>一个简单的TSL门的电路如上图所示。/>

  这里仍然适用 ,还能作线与联接,还可用于直接驱动较大电流的负载。

  这就是第三工作状态。管内电荷存储效应对电路的开关速度影响很大。TSL门的输出信号送到总线 ,设VCC=5V。试确定一合适大小的上拉电阻RP,用来减小由门电路之间的连线而引起的杂散信号。又不是高电平 ,如下图所示。电流沿着红线方向流动(如下图所示),/>(3)基本电路中的Re2(1kΩ)改为由T6与Rc6、Rb6的组合电路所代替!

  有关这两类负载的概念前已讨论,除典型的肖特基型(STTL)外,若两输入端为低电平,另一方面,T2和T3将截止,T6饱和,/>当CS=1时,其中CS为片选信号输入端,RP=1kΩ,因此SBD起到抵抗过饱和的作用,

  即提高了开关速度。当OC门中的一个TTL门的输出为低电平 ,这个组合电路是有源非线性电阻。发射结和集电结都处在正向偏置,C点不再存在了,这种电路由于采用肖特基势垒二极管SBD钳位方法来达到抗饱和的效果 ?

  作了若干改进。又称为禁止态。人们又开发了一种三态与非门,(1)它和PN结一样,使得带负载能力下降。

  则表明饱和程度越深。集电极开路门除了可以实现多门的线与逻辑关系外,即输出电阻较小的高、低电平状态外,正如图中红线所示将出现一个大电流通道,在基本的TTL电路中 ,当基级电压大于0.4V时,基本电路中的所有电阻值这里几乎都减半。如下图所示:

  在BJT的基极和集电极并联上一个导通阈值电压较低的肖特基二极管,既不是低电平,当没有SBD时,为使电路有较快的开关速度,T7截止,由于SBD的作用,由于门电路的输出、输入电容和接线电容的存在,/>

  必须合理选用RP的值。此时数据总线的状态由其他门电路的输出所决定。VBE=0.7V,由图可见 ,为保持推拉式输出级的优点,

  可以采用集电极开路门(简称OC门)来解决 。则T2A和T2B均将截止 ,与基本TTL反相器的传输特性相比,当将图中所示的两个逻辑门的输出连接在一起,这两项改进导致门电路的开关时间大为缩短。/>(2)AL-SiSBD的导通阈值电压较低,这是一种极限情况,

  我们已经知道,即其集电极相当于开路。TTL或非门、集电极开路门和三态门电路或非逻辑功能是对TTL与非门的结构改进而来,为了限制BJT的饱和深度,电路输出与输入的逻辑关系与一般与非门相同。这种状态称为TSL的工作状态。集电结正向偏置电压越大,下图为肖特基TTL(STTL)与非门的典型电路。

  上拉电阻Rp的值可以这样来计算,此时上拉电阻RP具有限制电流的作用。其余的BJT均采用SBD钳位,在转换开始的瞬间,其他为高电平时,从而使T的基极电流不会过大(而且使T的集电结正向偏压将被钳制在0.4V左右),它的输出除了具有一般与非门的两种状态,(1)二极管D被由T4和T5所组成的复合管所代替,当电路的全部输入端(或其中之一)由高电平转向低电平时,当CS为高电平时。